晶片組製程再進化 = 更強勁的性能與效率

製程與晶片組的性能優劣密切相關,處理器製程越先進,便更能為消費者打造體積更輕薄、執行速度更快、電源效率更高的智慧型手機,也更能提供製造商更充裕的設計彈性度。聯發科技向來走在處理器技術開發尖端,目前更是業界少數率先推出 10 奈米製程產品的廠商。

將數十億個晶體管壓縮到縮圖大小的晶片中


從歷史上來看,若處理器構建在製程技術逐漸減小的晶片,會帶來更好的性能及更低的功耗。 其原理來自於晶體管間的物理距離、晶體管柵極尺寸以及切換柵極所需的電流量減小所導致。 隨著晶體管越來越小,閾值變得更加緊湊,有源電壓隨之降低,進從達到節省功率的效益。

10 奈米製程

極致工藝

聯發科技再度與世界級晶圓領導廠商台積電攜手合作,採用台積電 10 奈米製程投產,台積電是聯發科技的長期技術夥伴,也是在晶片製程技術創新的領導者。 台積電的 10 奈米製程世代導入最新的高性能、低功耗 3D 鰭式場效電晶體(FinFET)技術。

10 奈米製程可讓晶片尺寸精省 50%,速度提升高達 20%,若是 16FF+ 製程更可節省 40% 的電耗,如同台積電所表示,提供「目前業界接觸間距最小,晶片密度最高」的精粹工藝。

聯發科技曦力 X30 家族晶片為使用者提供 halo 智慧型手機產品最尖端的功能、性能與電源效率。

12 奈米製程

快速高效

在 16/14 奈米產品中,聯發科技曦力 P30 家族晶片便是採用台積電新的 12 奈米製程技術。12 奈米 FinFET 技術使柵極密度達到最大,並在業界 16/14 奈米產品中提供最佳性能。 與台積電的 20 奈米單晶片製程相比,其 16/12 奈米速度提高了 50%,在相同速度下功耗降低了 60%。

16 奈米製程

性能與功耗表現再升級

聯發科技產品也採用台積電 16 奈米 FinFET 強效版製程,因此能再次設計高度整合的功能,讓產品具備更優異的性能與電源效率表現,如相較於 28 奈米高效能行動運算技術(28nm HPM),性能提升高達 65%,或是在不影響性能的前提下可降低 30%~50% 漏電流。

聯發科技曦力 P20 家族晶片採用 16 奈米 FinFET 強效版製程,因此能打造體積更精巧、性能更強勁、功能更豐富的智慧型手機。

20 奈米製程

高性能、高成本效益

台積電的 20 奈米製程是目前業界最小的商業化平面式電晶體製程,同時具備研發傳統 2D 晶體管的高成本效益以及絕佳的電源效率與性能。聯發科技曦力 X20 家族晶片採用此 製程,推出首款三叢集架構的晶片處理器,具備高度整合的先進功能,持續為 Android 產品用戶帶來不同凡響的智慧型手機體驗。

20 奈米製程的閘極密度提高 1.9 倍,比 28 奈米的耗電量減少達 25%,性能提升達 30%。

28 奈米製程

兼具性能與成本效益

針對大量生產的安卓智能手機產品,聯發科技採用各種兼具性能與成本效益的台積電 28 納米製程,開發各式入門等級至主流規格的智能手機產品。這些製程針對各式應用功能需求量身打造,以達到高電源效率、高性能、高成本效益的要求。